Все элементы на фото - цена за любой элемент - 55 грн!

При покупке от 100 грн бесплатная доставка по Харькову.

Отправка без предоплаты любым перевозчиком ( в том числе и Укр почтой).

Характеристики диодного моста KBJ3510:

Максимальное пиковое обратное напряжение 1000В
Максимальный ток с радиатором 35А, без радиатора 4.2А
Диапазон рабочих температур -55 до + 150 C

Характеристики диодного моста D25XB80:

Максимальное пиковое обратное напряжение 800В
Максимальный ток с радиатором 35А, без радиатора 4.2А
Диапазон рабочих температур -55 до + 150 C

Характеристики диодного моста D20SB80:

Максимальное пиковое обратное напряжение 800В
Максимальный ток с радиатором 25А, без радиатора 4.2А
Диапазон рабочих температур -55 до + 150 C

Характеристики IGBT транзистора H20R1203:

Напряжение коллектор эмиттер - до 1200В
Постоянный ток коллектора - до 40А (при 25 град), до 20А (при 100 град),
Импульсный ток коллектора - до 60А
Температура пайки выводов - до 260 град.
Обозначение выводов (надпись сверху выводов) слева направо G-C-E

Характеристики IGBT транзистора 15T120:

Напряжение коллектор эмиттер - до 1200В
Постоянный ток коллектора - до 40А (при 25 град)
Импульсный ток коллектора - до 60А
Температура пайки выводов - до 260 град.
Обозначение выводов (надпись сверху выводов) слева направо G-C-E

Характеристики Toshiba транзистора GT35J321:

Напряжение коллектор эмиттер - до 600В
Постоянный ток коллектора - до 40А (при 25 град), до 20А (при 100 град),
Импульсный ток коллектора - до 60А
Температура пайки выводов - до 260 град.
Обозначение выводов (надпись сверху выводов) слева направо G-C-E

Характеристики IGBT транзистора H20R1353:
Напряжение коллектор эмиттер - до 1350В
Постоянный ток коллектора - до 40А (при 25 град)
Импульсный ток коллектора - до 60А
Температура пайки выводов - до 260 град.
Обозначение выводов (надпись сверху выводов) слева направо G-C-E

Характеристики IGBT транзистора H20MR5:
Напряжение коллектор эмиттер - до 1200В
Постоянный ток коллектора - до 40А (при 25 град)
Импульсный ток коллектора - до 60А
Температура пайки выводов - до 260 град.
Обозначение выводов (надпись сверху выводов) слева направо G-C-E

Характеристики IGBT транзистора FGA15M120:
Напряжение коллектор эмиттер - до 1200В
Постоянный ток коллектора - до 15А (при 25 град)
Импульсный ток коллектора - до 60А
Температура пайки выводов - до 260 град.
Обозначение выводов (надпись сверху выводов) слева направо G-C-E

Характеристики IGBT транзистора FGA25M120:
Напряжение коллектор эмиттер - до 1200В
Постоянный ток коллектора - до 25А (при 25 град)
Импульсный ток коллектора - до 60А
Температура пайки выводов - до 260 град.
Обозначение выводов (надпись сверху выводов) слева направо G-C-E