Авторы: В.С.Першенков и др.

Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем.Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излучения. Проведен анализ источников излучений и обосновано применение моделирующих установок для исследования радиационных параметров интегральных микросхем.

Формат книги----145х220
Объем книги-----230стр.
"Энергоатомиздат",1988 г.